На главную

Решебник методичек Тарга С.М. 1988, 1989, 1983 и 1982 годов по теоретической механике для студентов-заочников.

Статья по теме: Вторичной электронной

Предметная область: материаловедение, композиционные материалы, металлы, стали, покрытия, деформации, обработка

Скачать полный текст

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии; кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала.[3, С.6]

Рис. 1. Микроструктура переходной зоны биметалла титан—сталь Ст. 3, снятая при вторичной электронной эмиссии до нагрева (а) и после нагрева до 1030° С с выдержками 2 мин (б), 3 мин (в)[12, С.41]

В работе [111] фрактальные свойства поверхностей разлома пористых пород изучались с помощью вторичной электронной эмиссии, индуцированной сканирующим пучком электронов в электронном микроскопе. При каждом значении увеличения вид структуры, регистрируемой элект-[7, С.68]

Топографию поверхности разрушения исследовали на сканирующем электронном микроскопе «ISM-50A» (фирма «IEOL», Япония) в режиме вторичной электронной эмиссии.[10, С.193]

В РЭМ различают два вида контраста изображения — топографический и композиционный [73]. Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен различными значениями коэффициента вторичной электронной эмиссии.[8, С.152]

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии; имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность [3,4].[1, С.162]

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии; имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность [3,4].[2, С.162]

Элемент Удельное электрическое сопротивление мкОм- м (298 К) Удельная электропроводность МСм- м- 1 (298 К) Температурный коэффициент электросопротивления XI О3, К~' (298—398 К) Абсолютный коэффициент т. э. д. с., мкВ/К Температура перехода в сверхпроводящее состояние, К Постоянная Холла, X 1 010; ма/Кл(298К) Коэффициент вторичной электронной эмиссии (ускоряющее напряжение первичных электронов) Магнитная восприимчивость (молярная) XI 0!, м'/моль (298 К)[9, С.38]

Элемент Удельное электрическое сопротивление, мкОм-м (298 К) Удельная электропроводность МСм-м"» (298 К) Температурный коэффициент электросопротивления Х103, K~J (298—398 К) Абсолютный коэффициент т. э. д. с., мкВ/К Температура перехода в сверхпроводящее состояние, К Постоянная Холла, X 1 010; мг/Кл (298 К) Коэффициент вторичной электронной эмиссии (ускоряющее напряжение первичных электронов) Магнитная восприимчивость (молярная) Х10*8 ма/моль (298 К5[9, С.42]

Элемент Удельное электрическое сопротивление, мкОм- м (298 К) Удельная электропроводность МСм- м- 1 (298 К) Температурный коэффициент электросопротивления XI 0s, КГ1 (298—398 К) Абсолютный коэффициент т, э. д. с., мкВ/К Температура перехода в сверхпроводящее состояние, К Постоянная Холла, X 1 0»°а М3/Кл (298 К) Коэффициент вторичной электронной эмиссии (ускоряющее напряжение первичных электронов) Магнитная восприимчивость (молярная) XlO!i ма/моль (298 К)[9, С.40]

Однако ситуация изменяется для твердого Li, когда в оже-пере-ход вовлекаются электроны проводимости. Для облегчения идентификации исследуемых веществ составлены каталоги оже-спектров большинства элементов и некоторых соединений. При обычно используемых пучках электронов с энергией до 3 кэВ вероятность конкурирующего рентгеновского излучения пренебрежимо мала. Трудности регистрации небольшого количества оже-электронов на фоне большого тока вторичной электронной эмиссии были успешно преодолены путем дифференцирования сигнала и применения синхронного детектора. Вследствие неупругих столкновений на пути к поверхности тела практически регистрируются лишь оже-электроны, выходящие с небольшой глубины (~10—30 А для металлов), поэтому наблюдаемый сигнал очень сильно зависит от состояния поверхностного слоя.[11, С.28]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь



В ПОМОЩЬ ВСЕМ СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборников Яблонского, Мещерского, Тарга С.М., Кепе. Решение любых задач по материаловедению, термодинамике, метрологии, термеху, химии, высшей математике, строймеху, сопромату, электротехнике, ТОЭ, физике и другим предметам на заказ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Готовцев А.А. Справочник металлиста. Т.1, 1976, 768 с.
2. Готовцев А.А. Справочник металлиста Т.1, 1976, 768 с.
3. Лозинский М.Г. Практика тепловой микроскопии, 1976, 168 с.
4. Лозинский М.Г. Тепловая микроскопия материалов, 1976, 304 с.
5. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов, 2001, 288 с.
6. Масумото Ц.N. Аморфные металлы, 1987, 328 с.
7. Иванова В.С. Синергетика и фракталы в материаловедении, 1994, 384 с.
8. Машков Ю.К. Трение и модифицирование материалов трибосистем, 2000, 280 с.
9. Бернштейн М.Л. Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4, 1991, 462 с.
10. Волынова Т.Ф. Высокомарганцовистые стали и сплавы, 1988, 343 с.
11. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы, 1986, 369 с.
12. Лозинский М.Г. Новые направления развития высокотемпературной металлографии, 1971, 169 с.

На главную