На главную

Решебник методичек Тарга С.М. 1988, 1989, 1983 и 1982 годов по теоретической механике для студентов-заочников.

Статья по теме: Вторичные электроны

Предметная область: материаловедение, композиционные материалы, металлы, стали, покрытия, деформации, обработка

Скачать полный текст

Гораздо более высокого разрешения можно достичь, применив для формирования изображения низкоэнергетичные вторичные электроны (ВЭ), имеющие область генерации, соизмеримую с размером электронного зонда. Это проявляется в более высоких параметрах, достигаемых при обработке вторично электронных РЭМ-стереопар [49].[7, С.178]

Изображение формируется тонким пучком электронов, который сканирует по поверхности образца, вызывая вторичную эмиссию. Вторичные электроны улавливаются специальными датчиками, сигнал от которых подается после усиления на модулятор электроннолучевой трубки. Величина сигнала зависит прежде всего от особенностей рельефа поверхности, которую обегает электронный луч. Изменение силы сигнала обусловливает изменение яркости свечения экрана и формирования изображения изучаемой поверхности. Расшифровка полученных микроснимков обычно не вызывает затруднений, так как изображения выглядят как трехмерные, весьма приближенные к действительности.[3, С.179]

Общими характеристиками метода РСМА являются следующие. Так как рентгеновское излучение генерируется из более глубоких слоев, чем вторичные электроны (для ЭОС 5—20 А, а для РСМА 0,5-5 мкм), то этот метод более информативен относительно объемного состава или более глубоких слоев. Анализы можно выполнять в менее глубоком вакууме, чем в ЭОС (для РСМА 6-(10~3—10~5), для ЭОС (10""—10~9 Па), что связано с высокой проникающей способностью рентгеновских лучей. Это могут быть как качественные, так и количественные измерения с регистрацией примесей с чувствительностью 0,5-0,01% по массе (для ЭОС 10~3%). Абсолютная чувствительность лежит в пределах 10~12-10~16 г при контроле локальных областей 1—2 мкм. Сканируя электронным зондом по поверхности мишени и регистрируя композиционный контраст (РЭМ), можно получать изобра-[6, С.156]

Умножитель фотоэлектронный сквозного действия — фотоумножитель, эмиттеры которого выполнены в виде сеток или металлических пластин типа жалюзи; вторичные электроны, испускаемые предыдущим эмиттером, попадают на последующий эмиттер непосредственно под действием разности потенциалов на этих эмиттерах; необходимость фокусировки электронов при такой конструкции фотоумножителя отпадает [3 ].[1, С.162]

Умножитель фотоэлектронный сквозного действия — фотоумножитель, эмиттеры которого выполнены в виде сеток или металлических пластин типа жалюзи; вторичные электроны, испускаемые предыдущим амиттером, попадают на последующий эмиттер непосредственно под действием разности потенциалов на .этих эмиттерах; необходимость фокусировки электронов при такой конструкции фотоумножителя отпадает [3 ].[2, С.162]

Рис 3.1. Эффекты, возникающие при взаимодействии электронного пучка с веществом и используемые для формирования изображения в РЭМ; 1 — электронный пучок; 2 — образец; 3 — Отраженные Электроны; 4 — вторичные электроны; 5 — ток поглощенных электронов; 6 — катодолюминесценция; 7 — рентгеновское излучение; 8 — Оже-электроны; 9 — наведенный ток; 10 — прошедшие электроны[5, С.62]

В каждой точке на поверхности образца электронный пучок находится в течение ограниченного времени, определяемого скоростью развертки. В результате взаимодействия электронов пучка с образцом возникают: отраженные электроны больших энергий (>50 эВ); низкоэнергетические вторичные электроны; рентгеновское излучение и излучение в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях (см. рис. 1). Формирование изображения в РЭМ происходит в результате улавливания специальными детекторами электронов 15 и излучений 11, испускаемых образцом, усиления этих сигналов и использования их для управления яркостью на экране ЭЛТ. Яркость каждой точки на экране ЭЛТ определяется сигналом[5, С.65]

Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны, что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения информации о поверхности регистрируют энергию и пространственное распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны.[6, С.151]

Вторичные электроны (основной), отраженные электроны, катодолюминесценция Рентгеновское излучение (основной), отраженные электроны, Оже-эдектроны, катодолюминесценция Прошедшие электроны Контраст напряжения[5, С.66]

/ — Оже-электроны; 2 — вторичные электроны; 3 — отраженные электроны; 4 — характеристическое рентгеновское излучение; 5 — непрерывное рентгеновское излучение; б •— вторичная флуоресценция за счет рентгеновского излучения[5, С.63]

изображение формируется в глазу наблюдателя. В РЭМ объект освещен очень узким электронным зондом, вторичные электроны поступают на коллектор под самыми различными углами, поэтому изображение выглядит так, как будто источник света расположен на месте коллектора электронов, а наблюдение проводится со стороны электронной пушки (рассеянное освещение при использовании вторичных электронов, косое — при использовании отраженных электронов).[5, С.67]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь



В ПОМОЩЬ ВСЕМ СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборников Яблонского, Мещерского, Тарга С.М., Кепе. Решение любых задач по материаловедению, термодинамике, метрологии, термеху, химии, высшей математике, строймеху, сопромату, электротехнике, ТОЭ, физике и другим предметам на заказ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Готовцев А.А. Справочник металлиста. Т.1, 1976, 768 с.
2. Готовцев А.А. Справочник металлиста Т.1, 1976, 768 с.
3. Тушинский Л.И. Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий, 1986, 216 с.
4. Колбасников Н.Г. Теория обработки металлов давлением, , 311 с.
5. Бернштейн М.Л. Металловедение и термическая обработка стали Т1, 1983, 352 с.
6. Машков Ю.К. Трение и модифицирование материалов трибосистем, 2000, 280 с.
7. Белый А.В. Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев, 1991, 208 с.

На главную