На главную

Решебник методичек Тарга С.М. 1988, 1989, 1983 и 1982 годов по теоретической механике для студентов-заочников.

Статья по теме: Отраженных электронах

Предметная область: материаловедение, композиционные материалы, металлы, стали, покрытия, деформации, обработка

Скачать полный текст

На снимке спека в отраженных электронах (рис. 3, а), полученного из суспензии La203—раствор 1-8 после отжига при 1200° (5 ч), видны частицы округлой формы размером 2—3 мкм в поперечнике, распределенные в однородном поле-матрице. Видно, что образовавшиеся кристаллы как по размеру, так и по форме *[2, С.66]

Переход от изображения во вторичных электронах к изображению в отраженных электронах осуществляется при изменении условий сбора электронов с поверхности образца за счет использования других детекторов, расположенных непосредственно над образцом. Сбор вторичных электронов обеспечивается при положительном потенциале сетки и размещении коллектора вне прямой видимости поверхности образца. При этом под действием электростатического поля траектории низкоэнергетических вторичных электронов отклоняются, обеспечивая большой телесный угол сбора вторичных электронов, в том числе из затененных участков (глубоких впадин на поверхности и т.д.). Это позволяет выявлять больше деталей на поверхности и определяет получение полутонов на изображениях во вторичных электронах. Сбор отраженных высокоэнергетических электронов обеспечивается при отрицательном по-[4, С.66]

Примененная методика позволила уточнить расположение в покрытии углеродсодержащих частиц и уточнить их размеры. Съемка в отраженных электронах показала, что частицы остаточного углерода расположены равномерно по всему сечению шлифа. Размеры частиц невелики и лежат у пределов чувствительности анализатора.[1, С.236]

Наименьшее увеличение составляет ~15, наибольшее полезное — около 50 000. В случае массивных объектов получают изображение в отраженных электронах, которые выходят из слоя толщиной до 10 мкм и позволяют получать информацию как о топографии поверхности, так и о содержании элементов с различными порядковыми номерами.[3, С.44]

Рпс. 3. Растровые снимки микроструктуры опека, полученного из суспензии La203—раствор 1-8 после обжига при 1200 °С (5 ч) в отраженных электронах (Х1200) (а) п в характеристическом рентгеновском излучении: La-?a (б), Р-КХ (в), Al-K^ (г) (сканируемый участии 25X25 мкм).[2, С.67]

Для детализации структуры продуктов высокотемпературной обработки композитных материалов на основе полиорганосилок-санов и наполнителей (слюды и окиси алюминия) авторы использовали микрозондовый рентгеновский анализатор, позволяющий наряду со съемкой исследуемой поверхности в поглощенных и отраженных электронах выполнять линейный поэлементный анализ на интересующих нас участках покрытий [2].[1, С.233]

Рис. 21. Поверхность раздела молибденовой проволоки с покрытием YSO3 после диффузионной сварки с нихромом (80% Ni—20% Сг) и последующего нагрева при 1200° С в течение 100 ч в водороде. Толщина покрытия YaO3 около 1,5 мкм. (Проволока на всех микрофотографиях расположена в левом нижнем углу) [30]. Изображение в рентгеновских лучах: а — в отраженных электронах; б — в лучах Y; в — в лучах Mo; e — в лучах Ni[5, С.198]

Принцип работы растрового электронного микроскопа заключается в том, что, изменяя длину волны электронов, можно вызвать и зафиксировать или характеристическое рентгеновское излучение микрообъемов поверхности объекта, или поток вторичных электронов. Изображение в растровом микроскопе дается на экране катодно-лучевой трубки и синхронизировано со сканированием поверхности образца электронным лучом. Таким образом, на экране можно получать изображения сканируемого участка поверхности в рентгеновских лучах, поглощенных или отраженных электронах, а также получать, используя эталоны элементов, их концентрационную кривую вдоль линии сканирования.[3, С.44]

Приведенные ниже примеры свидетельствуют о том, что взаимодействие оксида лантана с фосфор- и кремнийсодержащими компонентами растворов 1-8, 1-8' при температурах 800, 1200 °С препятствует получению стеклофазы заданного состава и изменяет фазовый состав наполнителя. Например, в композиции La203—раствор 1-8' после обжига при 800 °С в течение 1.5 ч появляется значительное количество метасиликата лантана, о чем свидетельствуют линии d/re=2.89, 2.80, 2.00, 1.90 А на рентгенограмме (рис. 1). Обжиг спека при температуре 1200 °С в течение 5 ч приводит к уменьшению интенсивности линий, свидетельствующем об уменьшении в спеке количества кристаллической фазы. Растровые снимки композиции в отраженных электронах (рис. 2, а) подтверждают гетерогенное строение спека: в однородном поле матрицы расположены белые кристаллы размером 6x2 до 28x9 мкм, не соответствующие размеру частиц исходного оксида лантана — 0.1—0.13 мкм. На рис. 2, б—г элементы стеклосвязки — кремний и алюминий — находятся[2, С.65]

Рие. 12.10. Типичная картина излома в аморфном сплаве. РЭМ. Изображение ъ отраженных электронах. Сплав не основе кобальта[6, С.169]

титана в отраженных электронах обнаруживает гетерогенную структуру образца. Снимки, полученные в характеристическом рентгеновском излучении (рис. 1, б—г), показывают распределение кремния, цинка и титана на данном участке (присутствие соответствующего, элемента обозначено белыми точками).[2, С.105]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь



В ПОМОЩЬ ВСЕМ СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборников Яблонского, Мещерского, Тарга С.М., Кепе. Решение любых задач по материаловедению, термодинамике, метрологии, термеху, химии, высшей математике, строймеху, сопромату, электротехнике, ТОЭ, физике и другим предметам на заказ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Труды В.С. Защитные покрытия, 1979, 272 с.
2. Труды В.С. Получение и применение защитных покрытий, 1987, 248 с.
3. Ржевская С.В. Материаловедение Учебник, 2004, 422 с.
4. Бернштейн М.Л. Металловедение и термическая обработка стали Т1, 1983, 352 с.
5. Браутман Л.N. Композиционные материалы с металлической матрицей Т4, 1978, 504 с.
6. Бернштейн М.Л. Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4, 1991, 462 с.

На главную