На главную

Решебник методичек Тарга С.М. 1988, 1989, 1983 и 1982 годов по теоретической механике для студентов-заочников.

Статья по теме: Образуется ступенька

Предметная область: материаловедение, композиционные материалы, металлы, стали, покрытия, деформации, обработка

Скачать полный текст

Если одиночная линия дислокации в своем движении (скольжении) полностью пересекает кристалл, то на поверхности кристалла образуется ступенька, которая по сути указывает на сдвиг одной части кристалла относительно другой (т. е. происходит элементарный акт пластической деформации). При этом решетка оказалась идеальной (только вблизи плоскости скольжения атомы поменяли соседей) и, следовательно, произошедшая деформация необратима. Разные виды движения дислокаций разного типа дают в сумме макроскопические деформации сдвига и растяжения-сжатия.[9, С.29]

Перемещение дислокации в плоскости скольжения ММ через весь кристалл приводит к смещению (сдвигу) соответствующей части кристалла на одно межплоскостное расстояние (рис. 50, б-г), при этом справа на поверхности кристалла образуется ступенька. Следует иметь в виду, что перемещение дислокаций, образовавшихся в процессе кристаллизации, ограничено. Большие деформации возможны только вследствие того, что движение этих дислокаций вызывает появление или размножение большого количества новых дислокаций в процессе пластической деформации.[4, С.71]

Однако упрочнение может быть обусловлено и призматическими дислокационными петлями, если они растянуты в плоскостях, параллельных их полному вектору Бюргерса, как показано на рис. 5 [16]. Если степень растяжения значительна, то энергия образования порога на дислокации должна быть очень большой, около 3 эв. Очевидно, сначала образуется ступенька для того,[13, С.216]

В целом, рост (укрупнение) частиц при 1373 и 1573 К происходит одинаково, однако имеются два основных структурных различия. Во-первых, при 1373 К в некоторых усах создается высокая концентрация мелких частиц (диаметром ~0,2 мкм), причем в усах могут содержаться вросшие частицы второй фазы. Во-вторых, при 1573 К развивается диффузионная зона и на поверхности уса вокруг частицы образуется ступенька, как видно на рис. 3. (Этот второй эффект, по-видимому, может иметь место и при 1373 К — в случае более длительных выдержек.)[3, С.392]

Краевая дислокация образуется, если внутри кристалла появляется лишняя полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью. Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. Условно принято, что дислокация положительная, если она находится в верхней части кристалла и обозначается знаком "J.", если дислокация находится в нижней части - отрицательная ("у"). Дислокации одного и того же знака отталкиваются, а противоположного - притягиваются. Под воздействием напряжения краевая дислокация может перемещаться по кристаллу (по плоскости сдвига), пока не достигнет границы зерна (блока). При этом образуется ступенька величиной в одно межатомное расстояние.[2, С.13]

зоны образуется ступенька на стружке. Это свойство зоны пластичности подчеркивается Ландбергом и детально рассматривается Альбрехтом.[10, С.236]

(рис. 62) подтверждают наличие изгиба (образуется ступенька) и контактных разрушений (часто отсутствует фокус излома и зеркальная зона).[6, С.75]

(рис. 62) подтверждают наличие изгиба (образуется ступенька) и контактных разрушений (часто отсутствует фокус излома и зеркальная зона).[12, С.75]

кации АВ (фиг. 23, б) на поверхности кристалла образуется ступенька, вдоль которой и происходит присоединение атомов кристаллизующегося металла. Новый слой атомов добавляется по мере того, как ступенька поворачивается вокруг точки выхода В, при этом ступенька никогда не исчезает. Вблизи точки В для полного поворота требуется немного атомов, а ее более удаленные от центра участки требуют большего числа атомов; поэтому центр вращается _быстрее наружной части и ступенька закручивается в спираль роста (фиг. 23, в).[5, С.42]

кристалла на одно межплоскостпое расстояние (рис. 28, о), при этом справа па поверхности кристалла образуется ступенька. Следует иметь в виду, что перемещение дислокаций, образовавшихся в процессе кристаллизации, ограничено. Большие деформации возможны только вследствие того, что движение этих дислокаций вызывает появление или размножение большого количества новых дислокаций в процессе пластической деформации.[1, С.45]

кристалла на одно межплоскостное расстояние (рис. 28, а), при этом справа на поверхности кристалла образуется ступенька. Следует иметь в виду, что перемещение дислокаций, образовавшихся в процессе кристаллизации, ограничено. Большие деформации возможны только вследствие того, что движение этих дислокаций вызывает появление или размножение большого количества новых дислокаций в процессе пластической деформации.[7, С.45]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь



В ПОМОЩЬ ВСЕМ СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборников Яблонского, Мещерского, Тарга С.М., Кепе. Решение любых задач по материаловедению, термодинамике, метрологии, термеху, химии, высшей математике, строймеху, сопромату, электротехнике, ТОЭ, физике и другим предметам на заказ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Лахтин Ю.М. Металловедение и термическая обработка металлов, 1983, 360 с.
2. Худяков М.А. Материаловедение, 1999, 164 с.
3. Браутман Л.N. Поверхности раздела в металлических композитах Том 1, 1978, 440 с.
4. Лахтин Ю.М. Материаловедение Учебник для высших технических учебных заведений, 1990, 528 с.
5. Болховитинов Н.Ф. Металловедение и термическая обработка Издание 6, 1965, 505 с.
6. Солнцев С.С. Разрушение стекла, 1978, 152 с.
7. Лахтин Ю.М. Металловедение и термическая обработка металлов, 1983, 360 с.
8. Волынова Т.Ф. Высокомарганцовистые стали и сплавы, 1988, 343 с.
9. Левин В.А. Избранные нелинейные задачи механики разрушения, 2004, 408 с.
10. Браун Р.Х. Обработка металлов резанием, 1977, 328 с.
11. Лахтин Ю.М. Металловедение и термическая обработка металлов, 1984, 360 с.
12. Солнцев С.С. Разрушение стекла, 1978, 153 с.
13. Цветаева А.А. Дефекты в закаленных металлах, 1969, 385 с.

На главную