На главную

Решебник методичек Тарга С.М. 1988, 1989, 1983 и 1982 годов по теоретической механике для студентов-заочников.

Статья по теме: Обратного напряжения

Предметная область: материаловедение, композиционные материалы, металлы, стали, покрытия, деформации, обработка

Скачать полный текст

Рис. 66. Зависимость величины обратного напряжения т„, действующего на источник, от глубины источника под поверхностью D, отнесенной к расстоянию между дислокационными петлями / (т?, выражено в единицах Gb/2l, n — количество петель, генерированных дислокационным источником)[9, С.119]

Поскольку селеновая шайба не допускает обратного напряжения, превышающего 18 в, то для получения выпрямленного тока более высокого напряжения необходимо соединять шайбы последовательно. Напряжение выпрямителей регулируют на стороне переменного тока отключением витков автотрансформаторов.[10, С.127]

Тиристор триодный — полупроводниковый прибор структуры р—п—р—п, содержащий три р—п перехода и снабженный тремя выводами от крайних и одной из средних областей проводимости; работает аналогично диодному тиристору, но перевод в открытое состояние может производиться при любой величине напряжения между выводами от крайних областей путем подачи в цепь управляющего электрода импульса прямого тока; выключение производится так же, как и диодного тиристора, путем снятия напряжения с выводов от крайних областей; в последнее время разработаны триодные тиристоры, выключение которых возможно путем подачи на управляющий электрод обратного напряжения; мощные триодные тиристоры часто называют управляемыми переключателями или выпрямителями; применяют в качестве контакторов в регулируемых преобразователях постоянного тока, инверторах, выпрямителях, спусковых и релаксационных схемах 13, 10].[1, С.157]

Тиристор триодный — полупроводниковый прибор структуры р—п—р—п, содержащий три р—п перехода и снабженный тремя выводами от крайних и одной из средних областей проводимости; работает аналогично диодному тиристору, но перевод в открытое состояние • может производиться при любой величине напряжения между выводами от крайних областей путем подачи в цепь управляющего электрода импульса прямого тока; выключение производится так же, как и диодного тиристора, путем снятия напряжения с выводов от крайних областей; в последнее время разработаны триодные тиристоры, выключение которых возможно путем подачи на управляющий электрод обратного напряжения; мощные триодные тиристоры часто называют управляемыми переключателями или выпрямителями; применяют в качестве контакторов в регулируемых преобразователях постоянного тока, инверторах, выпрямителях, спусковых и релаксационных схемах [3, 10].[2, С.157]

Варикап — полупроводниковый диод, используемый как элемент с электрически управляемой емкостью, зависящей от величины обратного напряжения на диоде [3].[1, С.140]

Известно, что важнейшей проблемой при конструировании силовых полупроводниковых приборов с плоскими планарно-эпитакси-альными /7-л-переходами является полное исключение поверхностного пробоя при приложении обратного напряжения ?/об [46—48]. Это связано с тем, что силовые, например, кремниевые полупроводниковые приборы рассчитаны на рабочие напряжения ?/обр (200...5000 В) и могут пропускать рабочий ток /пр (10...2000 А) с p-n-переходами, изготовленными из высокоомного кремния с удельным сопротивлением р (7...600 Ом-см) с рабочей площадью Sp_n (0,3...1000 см2).[7, С.158]

Старению полупроводников способствуют субмикроскопические дефекты материала, микроскопические дефекты на их поверхности, изменение температур, влажности, наличие примесей в материале. При этом возможны уменьшение обратного напряжения пробоя, увеличение обратного тока и шума, микроплазменные эффекты и др.[6, С.106]

Как показывает анализ реальных кремниевых структур /1+-и-и+-типа для силовых полупроводниковых приборов [47], применение профилирующих фасок ctj и а2 не избавляет реальные приборы от поверхностного пробоя при приложении к р-и-переходу обратного напряжения, так как это грубо нарушает условие электронейтральности структуры в абсолютных единицах заряда, Кл:[7, С.162]

Гут [38] провел серию опытов по изучению различных факторов, включая изменение толщины базовой области, определяющих предельно допустимые интегральные потоки нейтронов для кремниевых диодов. Он сравнил подобные по электрическим характеристикам диффузионные и сплавные диоды при низких и высоких значениях прямого тока. Для этих целей был выбран типичный прибор, а именно выпрямитель 1N538 с максимумом обратного напряжения в 200 в. Этот диод служил основой, в нем по желанию модифицировались толщины базы и тип перехода. Полагают, что информация, полученная в этих экспериментах, должна быть применима к аналогичным кремниевым и германиевым выпрямителям.[4, С.294]

Сравнив сплавные и диффузионные диоды, Гут установил, что структура перехода диода, полученная диффузионным способом и облегчающая перенос неосновных носителей, -способствует также заметному улучшению радиационной стойкости. Представляется вероятным, что оптимальной конфигурацией кремниевых диодов для использования в радиационных полях является диффузионная p-i-тг-структура и минимальная толщина базы, совместимая с требованиями максимального обратного напряжения. Кроме того, пороговая доза облучения, влияющая на экспоненциальную область, или область малых токов, прямой характеристики диода, по-видимому, ниже, чем в области больших токов. При очень малых токах (от 0,001 до 0,1 ма) падение прямого напряжения уменьшается, а не увеличивается, как это обычно наблюдается.[4, С.295]

Тип вентиля Охлаждение Амплитудное значение обратного напряжения в в Выпрямленный ток в а Падение напряжения в в[8, С.92]

... отрезано, скачайте архив с полным текстом ! Полный текст статьи здесь



В ПОМОЩЬ ВСЕМ СТУДЕНТАМ!!!
Задачи по теоретической механике из сборников Яблонского, Мещерского, Тарга С.М., Кепе. Решение любых задач по материаловедению, термодинамике, метрологии, термеху, химии, высшей математике, строймеху, сопромату, электротехнике, ТОЭ, физике и другим предметам на заказ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Готовцев А.А. Справочник металлиста. Т.1, 1976, 768 с.
2. Готовцев А.А. Справочник металлиста Т.1, 1976, 768 с.
3. Трефилов В.И. Деформационное упрочнение и разрушение поликристаллических металлов, 1987, 248 с.
4. Быков В.Н. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем, 1967, 428 с.
5. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов, 2001, 288 с.
6. Ржевская С.В. Материаловедение Учебник, 2004, 422 с.
7. Карабасов Ю.С. Новые материалы, 2002, 736 с.
8. Попилов Л.Я. Справочник по электрическим и ультразвуковым методам обработки материалов, 1963, 481 с.
9. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов, 1983, 281 с.
10. Сциборовская Н.Б. Оксидные и цинко-фосфатные покрытия металлов, 1961, 172 с.
11. Чадек Й.N. Ползучесть металлических материалов, 1987, 305 с.

На главную